发明名称 MANUFACTURE OF GAAS FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH08321514(A) 申请公布日期 1996.12.03
申请号 JP19950152301 申请日期 1995.05.26
申请人 NEC CORP 发明人 INOSUNA YOSHIKO
分类号 H01L29/812;H01L21/338;(IPC1-7):H01L21/338 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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