| 主权项 |
1.一种半导体配置,包括-一个由GaP所构成之基体(4)-一种配置于基体上方之GaP-磊晶层(14,15),其包含n-掺杂和p-掺杂之部份层,--在此二个部份层(14,15)之间的边界区中形成一种pn-接面(16),--此GaP-磊晶层(14,15)之含有上述pn-接面(16)之光学活化之层区域是以一种用作等电位中心之晶格缺陷复合体来进行掺杂,此种半导体配置之特征为;-GaP-磊晶体(14,15)含有一种外来物质,其是与一种由Ⅲ族及/或由V族所构成之元素有关,此种元素是与N不同的,其在GaP-磊晶层(14,15)中之最大浓度小于1020cm-3。2.如申请专利范围第1项之半导体配置,其中GaP-磊晶层(14,15)中上述外来物质之最大浓度小于1019cm-3且特别是大约1018cm-3。3.如申请专利范围第1或第2项之半导体配置,其中上述外来物质之浓度在GaP-磊晶层(14,15)之厚度中基本上是定値的。4.如申请专利范围第1或第2项之半导体配置,其中上述之外来物质是铟(In)。5.如申请专利范围第3项半导体配置,其中上述之外来物质是铟(In)。6.如申请专利范围第1或第2项之半导体配置,其中GaP-磊晶层(14,15)之光学活化之层区域中之晶格缺陷复合体之浓度(18)是介于1017和5.1018cm-3之间,特别是介于5.1017和1018cm-3之间。7.如申请专利范围第3项之半导体配置,其中GaP-磊晶层(14,15)之光学活化之层区域中之晶格缺陷复合体之浓度(18)是介于1017和5.1018cm-3之间,特别是介于5.1017和1018cm-3之间。8.如申请专利范围第1项之半导体配置,其中晶格缺陷复合体是N。9.如申请专利范围第6项之半导体配置,其中晶格缺陷复合体是N。10.一种半导体配置之制造方法,包括以下各步骤:-制备一种GaP-基体(4);-磊晶生长一种GaP-磊晶层(14,15),其包含二个不同掺杂度之部份层,--在此二个部份层之间的边界区域中形成一个pn-接面(16),-此GaP-磊晶层(14,15)之含有此pn-接面(16)之光学活化之层区域是以一种用作等电位中心之晶格缺陷复台体来掺杂;其特征为:-在GaP-磊晶层(14,15)中引进一种外来物质,其是一种由Ⅲ族及/或由V族所构成之元素,此种元素是与N不同的且其在GaP-磊晶层(14,15)中之最大浓度小于1020cm-3。11.如申请专利范围第10项之半导体配置之制造方法,其中磊晶步骤(14,15)是藉由液相磊晶(LPE)来达成。12.如申请专利范围第11项之半导体配置之制造方法,其中一种在磊晶步骤之前相对于Ga而言数量最大是1重量百分比(Gew.-%)(特别是最大为0.07Gew.-%)之铟(In)须添加至液相磊晶中所使用之Ga-溶液中。13.如申请专利范围第10至12项中任一项之半导体配置之制造方法,其中所使用之GaP-基体(4)具有一种小于2.105cm-2之偏位密度,特别是小于1.105cm-2。图式简单说明:第一图在GaP-基体上对掺杂之GaP-磊晶层进行LPE时所用之移动设备之图解。第二图a本发明之LED之层结构之横切面图。第二图b在第二图a中所示之LED中之掺杂物质-,晶格缺陷-及外来物质浓度曲线图。第三图三个LED之亮度减弱现象对操作时间之关系图。 |
