| 主权项 |
1.一种背靠背式双波长半导体雷射元件,包括:一基底;一第一包覆层,位于该基底上方;一第一波导层,位于该第一包覆层上方;一第一活性层,位于该第一波导层上方;一第二波导层,位于该第一活性层上方;一第二包覆层,位于该第二波导层上方;一第一接触层,位于该第二包覆层上方;一第三包覆层,位于该第一接触层上方,并覆盖部份该第一接触层;一第三波导层,位于该第三包覆层上方;一第二活性层,位于该第三波导层上方;一第四波导层,位于该第二活性层上方;一第四包覆层,位于该第四波导层上方;以及一第二接触层,位于该第四包覆层上方。2.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中该第一接触层、第二接触层与基底系均为偏压平面。3.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中当该第二接触层与该基底形成一偏压时,该第二活性层发光。4.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中当该第一接触层与该基底形成一偏压时,该第一活性层发光。5.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中该第一活性层为GaAs/AlGaAs。6.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中第二活性层为InGaP/AlInGaP。7.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中第一活性层为InGaP/AlInGaP。8.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中第二活性层为GaAs/AlGaAs。9.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中该第一活性层为InGaAsP /InGaAsP。10.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中该第二活性层为InGaAsP /InGaAsP。11.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中,该基底为一P型基底,该第一接触层为一N型接触层,该第二接触层为一P型接触层。12.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中,该基底为一N型基底,该第一接触层为一P型接触层,该第二接触层为一N型接触层。13.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件,其中,该第一接触层之厚度为0.2-2m。14.一种背靠背式双波长半导体雷射元件,包括:一基底;一第一半导体雷射结构层,位于该基底上方;以及一第二半导体雷射结构层,位于部份该第一半导体电射结构层上方;其中,该第一半导体雷射结构层之最上层为一第一接触层;该第二半导体雷射结构之最上层为一第二接触层。15.如申请专利范围第14项所述之半导体雷射元件,其中该第一接触层、第二接触层与基底系均为偏压平面。16.一种背靠背式双波长半导体雷射元件之制造方法,包括:形成一第一包覆层于一基底上方;形成一第一波导层;形成一第一活性层;形成一第二波导层;形成一第二包覆层;形成一第一接触层;形成一第三包覆层;形成一第三波导层;形成一第二活性层;形成一第四波导层;形成一第四包覆层;形成一第二接触层;以及定义一第二半导体雷射结构区,用以去除部份之该第二接触层、第四包覆层、第二活性层、第三波导层以及第三包覆层。17.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中该第一活性层为GaAs/AlGaAs。18.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中第二活性层为InGaP/AlInGaP。19.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中第一活性层为InGaP/AlInGaP。20.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中第二活性层为GaAs/AlGaAs。21.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中该第一活性层为InGaAsP /InGaAsP。22.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中该第二活性层为InGaAsP /InGaAsP。23.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中,该基底为一P型基底,该第一接触层为一N型接触层,该第二接触层为一P型接触层。24.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中,该基底为一N型基底,该第一接触层为一P型接触层,该第二接触层为一N型接触层。25.如申请专利范围第16项所述之半导体雷射元件,其中,该第一接触层之厚度为0.2-2m。26.一种背靠背式双波长半导体雷射元件之制造方法,包括:形成一第一半导体雷射结构层于一基底上方;形成一第二半导体雷射结构层;以及定义一第二半导体雷射结构区,去除部份该第二半导体雷射结构层。图式简单说明:第一图绘示依照本发明一较佳实施例的一种背靠背式双波长半导体雷射元件之示意图。第二图A-第二图C绘示乃本发明之背靠背式双波长半导体雷射元件之制程剖面图。第三图A-第三图B绘示乃本发明之背靠背式双波长半导体雷射元件之操作示意图。 |
