| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体的制造方法,适用于一绝缘基材,该方法包括下列步骤:形成一第一导体层于该绝缘基材上;进行第一微影与蚀刻步骤,图案化该第一导体层,以形成一闸极与一闸极线路;依序形成一闸介电层、一矽材料层、一掺杂矽材料层、及一第二导体层于该绝缘基材上;进行第二微影与蚀刻步骤,依序图案化该第二导体层与该掺杂矽材料层,以形成一源极/汲极线路,并保留位于该闸极上方之部分的该第二导体层与该掺杂矽材料层;形成一透明导体层于该绝缘基材之上;进行第三微影与蚀刻步骤,依序图案化该透明导体层、该第二导体层、及该掺杂矽材料层,以形成一画素电极、一源极/汲极导体层、与一源极/汲极;形成一保护层于该绝缘基材之上;以及进行第四微影与蚀刻步骤,图案化该保护层,以暴露出该画素电极。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该第一导体层系由一层或多层之包含至少一种或多种选自金属或/及其合金之材料所形成。3.如申请专利范围第2项之薄膜电晶体的制造方法,其中该金属或/及其合金系选自铝、铜、金、银、钼、铬、钛、钨等材料。4.如申请专利范围第3项之薄膜电晶体的制造方法,其中该铝合金系可包含钕(Nd)。5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该第一导体层系至少包含一钛/铝/钛复合层,其中之钛、铝等材料亦包含其合金之范围。6.如申请专利范围第5项之薄膜电晶体的制造方法,其中该铝合金系可包含钕(Nd)。7.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该闸介电层至少包括一氮化矽层。8.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该矽材料层之材质至少包括一非晶矽。9.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该掺杂矽材料层之材质至少包括一N型掺杂非晶矽。10.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该第二导体层系由一层或多层之包含至少一种或多种选自金属或/及其合金之材料所形成。11.如申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方法,其中该金属或/及其合金系选自铝、铜、金、银、钼、铬、钛、钨等材料。12.如申请专利范围第11项之薄膜电晶体的制造方法,其中该铝合金系可包含钕(Nd)。13.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该第二导体层系至少包含一钛/铝/钛复合层,其中之钛、铝等材料亦包含其合金之范围。14.如申请专利范围第13项之薄膜电晶体的制造方法,其中其中该铝合金系可包含钕(Nd)。15.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该透明导体层至少包括一氧化铟锡层。16.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该保护层至少包括一氮化矽层。17.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其系可运用于一般薄膜电晶体平面显示器之制造,其中平面显示器则可以是液晶显示器(LCD)、有机光激发双极晶体(OLED)等之平面显示器。18.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其系可运用于传真机(FAX machine)、接触式影像感测器(CIS),以及其它各种电子元件等之制造。19.一种薄膜电晶体的制造方法,适用于一绝缘基材,该方法包括下列步骤;进行第一沈积、微影与蚀刻步骤,以同时形成一闸极与一闸极线路于该绝缘基材上;依序形成一闸介电层、一矽材料层于该绝缘基材上;进行第二沈积、微影与蚀刻步骤,以形成一源极/汲极线路于该绝缘基材上;进行第三沈积、微影与蚀刻步骤,以形成一画素电极、一源极/汲极导体层、及一源极/汲极于该绝缘基材上,该画素电极系形成于该源极/汲极导体层与该源极/汲极之上;以及进行第四沈积、微影与蚀刻步骤,以形成图案化之一保护层于该绝缘基材之上,该保护层系将该画素电极暴露出来。20.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中形成该源极/汲极线路的方法包括下列步骤:依序形成一掺杂矽材料层与一导体层于该绝缘基材上;以及依序图案化该导体层与该掺杂矽材料层,以形成该源极/汲极线路。21.如申请专利范围第19项所述之薄膜电晶体的制造方法,其中形成该画素电极、该源极/汲极导体层、与该源极/汲极的方法包括下列步骤:在形成该源极/汲极线路之同时,保留位于该闸极上方之部分的该导体层与该掺杂矽材料层;形成一透明导体层于该绝缘基材之上;以及依序图案化该透明导体层、该导体层、及该掺杂矽材料层,以形成一画素电极、一源极/汲极导体层、及一源极/汲极。22.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该闸极与该闸极线路之材质系由一层或多层之包含至少一种或多种选自金属或/及其合金之材料所形成。23.如申请专利范围第22项之薄膜电晶体的制造方法,其中该金属或/及其合金系选自铝、铜、金、银、钼、铬、钛、钨等材料。24.如申请专利范围第23项之薄膜电晶体的制造方法,其中该铝合金系可包含钕(Nd)。25.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该闸极与该闸极线路之材质系至少包含一钛/铝/钛复合层,其中之钛、铝等材料亦包含其合金之范围。26.如申请专利范围第25项之薄膜电晶体的制造方法,其中该铝合金系可包含钕(Nd)。27.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该闸介电层至少包括一氮化矽层。28.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该矽材料层之材质至少包括一非晶矽。29.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该源极/汲极线路与该源极/汲极导体层之材质系由一层或多层之包含至少一种或多种选自金属或/及其合金之材料所形成。30.如申请专利范围第29项之薄膜电晶体的制造方法,其中该金属或/及其合金系选自铝、铜、金、银、钼、铬、钛、钨等材料。31.如申请专利范围第30项之薄膜电晶体的制造方法,其中该铝合金系可包含钕(Nd)。32.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该源极/汲极线路与该源极/汲极导体层之材质系至少包含一钛/铝/钛复合层,其中之钛、铝等材料亦包含其合金之范围。33.如申请专利范围第32项之薄膜电晶体的制造方法,其中该铝合金系可包含钕(Nd)。34.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该源极/汲极之材质至少包括一N型掺杂非晶矽。35.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该透明导体层至少包括一氧化铟锡层。36.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,其中该保护层至少包括一氮化矽层。37.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,系可运用于一般薄膜电晶体平面显示器之制造,其中平面显示器则可以是液晶显示器(LCD)、有机光激发双极晶体(OLED)等平面显示器。38.如申请专利范围第19项之薄膜电晶体的制造方法,系可运用于于传真机(FAX machine)、接触式影像感测器(CIS),以及其它各种电子元件等之制造。图式简单说明:第一图A-第一图E所绘示为习知技艺中,薄膜电晶体平面显示器之薄膜电晶体的制造流程剖面图。第二图、第三图A、第四图A、第五图A、第六图A所绘示为本发明之较佳实施例中,薄膜电晶体平面显示器之薄膜电晶体的制造流程剖面图。第三图B、第四图B、第五图B、第六图B各自为第三图A、第四图A、第五图A、第六图A之上视图。 |
