| 主权项 |
1.一种圆晶层级之封装结构,包括:一第一晶粒;一焊垫重分布层,在第一晶粒的第一表面上;一绝缘体,在该焊垫重分布层上,靠近周围的部分;一第二晶粒,利用一绝缘材料粘贴在该第一晶粒的一第二表面上;至少一金属线,由该第一晶粒之焊垫重分布层,绝缘体的外围连接至该第二晶粒与该第一晶粒的接合面;一金线固定保护材料,固定住该金属线,并覆盖住该第二晶粒的接合面;以及复数个锡球,在该焊垫重分布层上,该绝缘体所包围的区域。2.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该第一晶粒之面积小于该第二晶片的面积。3.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该第一晶片和该焊垫重分布层之间,又包括了一聚亚醯胺层。4.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该金属线包括一金线。5.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该绝缘体包括一绝缘胶带或一非金属。6.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该固定及保护材料包括一树脂或一液态化合物。7.一种晶圆层级的封装方法,包括:提供一第一晶片;对该第一晶粒进行焊垫重新分布;在该第一晶粒上,靠近周围部分形成一绝缘体;利用一绝缘胶带或不导电胶,将第一晶片粘贴在一第二晶粒上;形成至少一金属线,电性连接该第一晶粒及该第二晶粒;形成一金属线之固定保护材料;以及形成复数个锡球,电性连接该第一晶粒。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第一晶片之面积小于该第二晶片之表面积。9.如申请专利范围第7项所述之方法,更包括在该第一晶片形成一焊垫重分布层的步骤。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该金线包括一金线。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该固定保护材料是利用压模方式形成的。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该固定保护材料包括树脂。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该固定保护材料是利用涂布方式形成的。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该固定保护材料包括液态化合物。15.一种晶圆层级的封装方法,包括:提供一第一晶圆,该晶圆上包括复数个第一晶粒;该些第一晶粒进行焊垫重分布,并在该些第一晶粒上各形成一焊垫重分布层;在该些焊垫重布层上,形成复数绝缘体,以定义包围出一植球预定区;对该第一晶圆进行晶粒切割,以一一分离该些第一晶粒;提供一第二晶圆,该第二晶圆包括复数个第二晶粒;在该些第二晶粒上,各粘贴上一个该些第一晶粒;形成复数条金属线,由该些焊垫重分布层上,该绝缘体之外围,连接至所对应之该些第二晶粒;形成该些金属线之复数个保护材料层;在该些植球预定区上形成复数个锡球;对该第二晶圆进行晶粒切割。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该些第一晶粒之面积小于该些第二晶粒之面积。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该固定保护材料是利用压模方式形成的。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该固定保护材料包括树脂。19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该固定保护材料是利用涂布方式形成的。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该固定保护材料包括液态化合物。图式简单说明:第一图所绘示为一种习知多晶片型封装。第二图A及第二图B绘示出依照本发明之一较佳实施例中,晶粒上焊垫重分布之剖面示意图。第三图A至第三图C绘示出依据本发明所提供之一种封装方法及结构。第四图绘示出依据本发明所提供之另一种封装方法及结构。 |
