| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein streßreduziertes Schichtsystem mit mindestens einer ersten Schicht aus poly- oder einkristallinem Halbleitermaterial (1), die an eine mikrokristalline oder amorphe leitende oder isolierende zweite Schicht (14) angrenzt, wobei die Halbleiterschicht (1) mit mindestens zwei Dotierstoffen desselben Leitfähigkeitstyps dotiert ist, von denen mindestens einer geeignet ist, mechanische Verspannungen an der Grenzfläche abzubauen. Die Erfindung betrifft ferner ein streßreduziertes Schichtsystem mit mindestens einer ersten Schicht (14, 38) aus Halbleitermaterial, leitendem oder isolierendem Material und mindestens einer leitenden oder isolierenden zweiten Schicht (13, 20, 37), wobei eine weitere Halbleiterschicht (19, 21, 36), die mit mindestens einem Dotierstoff, der geeignet ist, mechanische Verspannungen an der Grenzfläche zwischen der zweiten Schicht und der ersten Schicht abzubauen, dotiert ist, zwischen der ersten Schicht (14) und der zweiten Schicht (13) oder auf der der Grenzfläche entgegengesetzten Oberfläche der ersten Schicht oder der zweiten Schicht (20, 37) aufgebracht ist.
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