| 主权项 |
1.一种检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,适用于积体电路制程已完成层间介电层之沉积,并完成开启基板接触窗之蚀刻步骤之后;其特征为利用高温的氢氧化钾溶液进行湿蚀刻以加强对比,接下来只要利用光学显微镜和扫描式电子显微镜其中之一便可检验是否有氧化矽层残留在该基板接触窗内的矽基板上。2.如申请专利范围第1项所述之检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,其中所述湿蚀刻是利用重量百分比10%的氢氧化钾溶液进行,反应温度介于80至100℃之间,反应时间介于5秒至7分钟之间。3.如申请专利范围第1项所述之检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,其中所述湿蚀刻是利用重量百分比10%的氢氧化钾溶液进行,最佳的反应温度为90℃,而最佳的反应时间约为25秒。4.如申请专利范围第1项所述之检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,其中所述的检验系利用扫描式电子显微镜检验所述基板接触窗的横剖面,若该基板接触窗内的矽基板被沿着(111)结晶则蚀刻则代表没有氧化矽层残留,然而若所述矽基板没有被蚀刻则代表所述基板接触窗内有氧化矽层残留。5.如申请专利范围第1项所述之检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,其中所述的检验系利用光学显微镜检验所述基板接触窗的表面,若该基板接触窗内的矽基板被沿着(111)结晶面蚀刻则代表没有氧化矽层残留,然而若矽基板没有被蚀刻则代表所述基板接触窗内有氧化矽层残留。6.如申请专利范围第1项所述之检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,其中所述的检验系利用扫描式电子显微镜检验所述基板接触窗的表面,若该基板接触窗内的矽基板被沿着(111)结晶面蚀刻则代表没有氧化矽层残留,然而若矽基板没有被蚀刻则代表所述基板接触窗内有氧化矽层残留。7.一种检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,适用于积体电路制程已完成层间介电层之沉积,并完成开启接触窗之蚀刻步骤之后;其特征为利用高温的氢氧化钾溶液进行湿蚀刻以加强对比,再利用扫描式电子显微镜检验所述基板接触窗的横剖面,若该基板接触窗内的矽基板被沿着(111)结晶面蚀刻则代表没有氧化矽层残留,然而若矽基板没有被蚀刻则代表该基板接触窗内有氧化矽层残留。8.一种检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,适用于积体电路制程已完成层间介电层之沉积,并完成开启接触窗之蚀刻步骤之后;其特征为利用高温的氢氧化钾溶液进行湿蚀刻以加强对比,再利用扫描式电子显微镜检验所述基板接触窗的表面,若该基板接触窗内的矽基板被沿着(111)结晶面蚀刻则代表没有氧化矽层残留,然而若矽基板没有被蚀刻则代表该基板接触窗内有氧化矽层残留。9.一种检验基板接触窗内残留氧化矽层的方法,适用于积体电路制程已完成层间介电层之沉积,并完成开启接触窗之蚀刻步骤之后;其特征为利用高温的氢氧化钾溶液进行湿蚀刻以加强对比,再利用光学显微镜检验所述基板接触窗的表面,若该基板接触窗内的矽基板被沿着(111)结晶面蚀刻则代表没有氧化矽层残留,然而若矽基板没有被蚀刻则代表该基板接触窗内有氧化矽层残留。图式简单说明:第一图A系使用穿透式电子显微镜(TEM)检验基板接触窗内残留氧化矽层的示意图。第一图B是使用扫描式电子显微镜(SEM)检验与第一图A相同之基板接触窗的剖面示意图。第二图是本发明中检验基板接触窗之残留氧化矽层的流程图。第三图A显示本发明中在没有残留氧化矽层的情况之下,以高温氢氧化钾进行湿蚀刻的制程剖面图。第三图B系第三图A的俯视图。第三图C显示本发明在有残留氧化矽层的情况之下,以高温氢氧化钾进行湿蚀刻的制程剖面图。第三图D系第三图C的俯视图。 |
