发明名称 N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲在天山雪莲快速繁殖中的应用方法
摘要 本发明属于生物技术领域,特别涉及植物生长调节剂N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲在天山雪莲快速繁殖中的应用方法。通过使用新型植物生长调节剂TDZ获得具有强分化能力的天山雪莲脱分化组织,这种组织可在TDZ培养基上多次继代,当移入无激素培养基上,经过20~40的培养,可产生大量的芽。经过低温处理可强化这种组织的分化能力。将产生的芽移到生根培养基上诱导生根,两周以后,生根率可达95%。本发明利用新型生长调节剂对天山雪莲的形态发生进行调控,结合低温处理,建立了天山雪莲种苗可持续化生产的新型工艺。与传统的利用外植体一次性诱导再生的方法相比较,具有材料利用率高、生产效率高、节省了人力、物力等优点。
申请公布号 CN100998316A 申请公布日期 2007.07.18
申请号 CN200610011157.X 申请日期 2006.01.11
申请人 中国科学院过程工程研究所 发明人 刘春朝;郭斌
分类号 A01H4/00(2006.01);C12N5/04(2006.01);A01G7/00(2006.01) 主分类号 A01H4/00(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 李柏
主权项 1.一种N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲在天山雪莲快速繁殖中的应用方法,其特征是,该方法包括以下步骤:(1).取天山雪莲种子,用次氯酸钠溶液或氯化汞溶液进行表面灭菌,然后接到无激素的MS固体培养基上;待幼苗生长15~42天后,取其根、茎、叶接种到含0.25~5μM N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲的MS培养基上诱导脱分化,培养温度25±2℃,光照强度为500~5000Lux、光周期10~16小时;(2).将步骤(1)培养20~40天后产生的愈伤组织转接到含0.05~2.0μMN-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲的MS培养基上继代培养,每隔3~5代,用低温处理愈伤组织,在0~4℃下处理1~4周;然后转接到含0.05~2.0μM N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲的MS培养基上继续培养,培养温度25±2℃,光照强度为500~5000Lux、光周期10~16小时;(3).将步骤(2)培养20~30天的愈伤组织转接到MS无激素培养基上继续培养,培养温度25℃,光照强度为500~5000Lux、光周期10~16小时;培养35天后产生大量的不定芽;(4).当不定芽伸长至3~5cm时,转移到加有1.65g/L的NH4NO3、1.9g/L的KNO3、0.17g/L的KH2PO4、0.37g/L的MgSO4.7H2O和0.44g/L的CaCl2.2H2O的MS并附加0.2~2mg/L IAA的培养基上诱导生根,或者附加0.5~2mg/L NAA的培养基上诱导生根,或者附加0.2~2mg/L IBA的培养基上诱导生根。
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