发明名称 |
用于测试隧道磁电阻效应元件的方法和设备 |
摘要 |
一种用来测试TMR元件的方法,包括初始测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第一电阻值的步骤;在连续使电流通过TMR元件预定的时间后,测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第二电阻值的步骤;以及根据TMR元件电阻变化的程度来评价TMR元件的步骤。电阻变化的程度基于第一电阻值和第二电阻值来确定。 |
申请公布号 |
CN100343901C |
申请公布日期 |
2007.10.17 |
申请号 |
CN200510054118.3 |
申请日期 |
2005.03.04 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
猿木俊司;稻毛健治;蜂须贺望;清野浩 |
分类号 |
G11B5/455(2006.01);G11B5/39(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/455(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1、一种用来测试隧道磁电阻效应元件而不破坏所述隧道磁电阻效应元件的方法,其包含下列步骤:初始测量所述隧道磁电阻效应元件的电阻值,以提供所测量的电阻值作为第一电阻值;在使电流从基底侧向与基底相反一侧连续通过所述隧道磁电阻效应元件预定的时间后,测量所述隧道磁电阻效应元件的电阻值,以提供所测量的电阻值作为第二电阻值;以及根据所述隧道磁电阻效应元件的电阻在经过所述预定的时间后变化的程度,评价所述隧道磁电阻效应元件是否没有针孔的无缺陷产品,所述电阻变化的程度基于所述第一电阻值和所述第二电阻值来确定。 |
地址 |
日本东京都 |