发明名称 一种超细纳米级硅粉的制备方法
摘要 本发明公开了一种超细纳米级硅粉的制备方法,它包括以下步骤:S1.一次研磨;S2.二次研磨;S3.干燥;S4.打散。本发明提供的一种超细纳米硅的制备方法,是一种全新工艺体系,本发明在制备超细纳米硅粉时加入了辅料,更容易实现小粒度硅粉的制备,容易规模化生产50nm以下的纳米硅材料,并且工艺不会影响材料本身的性能和球磨珠的性能等优点,可用作涂料领域、锂离子电池、锂离子电容器、锂硫电池、全固态电池及太阳能电池领域的关键材料或关键材料的前驱体,本发明方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。
申请公布号 CN105655569A 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201610204594.7 申请日期 2016.04.01
申请人 四川创能新能源材料有限公司 发明人 唐升智;姚鹏泉;范珂铭;董金平;罗飞
分类号 H01M4/38(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01M4/38(2006.01)I
代理机构 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人 袁英
主权项 一种超细纳米级硅粉的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:S1. 一次研磨:在球磨机中加入粗硅粉和溶剂,均匀分散后,将粗硅粉球磨至颗粒粒径为50~200nm,得一次研磨粉;所述溶剂为酒精、无水乙醇、甘油、聚乙烯吡咯烷酮、丙酮、环己烷、丁酮、丁醇或苯类中的一种或多种的组合;所述粗硅粉的粒度为1~50μm; S2. 二次研磨:一次研磨料中加入辅料,在球磨机中继续分散,将一次研磨料球磨至颗粒粒径为10~50nm,得二次研磨粉;S3. 干燥:将所得的二次研磨粉干燥至含水量小于1000ppm;S4. 打散:将干燥后的研磨粉打散,即获得超细纳米级硅粉。
地址 620000 四川省眉山市彭山区彭祖大道118号伟业广场11楼