| 摘要 |
반도체층을 게이트 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에 형성하는 경우라도, 소자 특성을 향상시키는 것과 함께, 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 목적의 하나가 된다. 게이트 전극층과, 게이트 전극층 위에 형성된 게이트 절연층과, 게이트 절연층을 개재하여 게이트 전극층의 일부와 중첩하도록 형성된 소스 전극층 및 드레인 전극층과, 게이트 절연층, 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에 형성된 반도체층을 갖는 구조에 있어서, 소스 전극층과 드레인 전극층의 사이의 영역에 위치하는 게이트 절연층의 막 두께를 게이트 전극층과 소스 전극층의 사이에 형성된 게이트 절연층 및 게이트 전극층과 드레인 전극층의 사이에 형성된 게이트 절연층의 막 두께보다 얇게 되도록 형성한다. |
