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发明名称
Plasma chemical vapor apparatus
摘要
본 발명은 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 기재가 위치하는 공정영역을 갖는 진공챔버; 상기 진공챔버 내부의 진공도를 조절하는 진공조절부; 상기 진공챔버 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부; 상기 진공챔버 내에 설치되어 상기 공정영역에 플라즈마를 형성하며, 외주면에 표면거칠기를 갖는 적어도 하나의 전극유닛; 상기 전극유닛에 전원을 공급하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
申请公布号
KR101632397(B1)
申请公布日期
2016.06.21
申请号
KR20140149767
申请日期
2014.10.31
申请人
(주)에스엔텍
发明人
안경준;권오대
分类号
H01L21/02;H01L21/205;H05H1/46
主分类号
H01L21/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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