| 发明名称 |
VAPOR GROWTH METHOD OF SILICON SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02205315(A) |
申请公布日期 |
1990.08.15 |
| 申请号 |
JP19890026333 |
申请日期 |
1989.02.03 |
| 申请人 |
KYUSHU ELECTRON METAL CO LTD;OSAKA TITANIUM CO LTD |
发明人 |
NODA SHUNJI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/20;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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