| 摘要 |
<p>n 형 및 p 형 열전 반도체(8, 9)를 각 단면이 거의 동일면의 배선 단면(3a, 3b)을 형성하도록 규칙적으로 배치함과 함께 절연체를 통해 각 열전 반도체(8, 9)를 접합 일체화하고, 양 배선 단면(3a, 3b)에 n 형 및 p 형 열전 반도체(8, 9)를 교대로 전기적으로 접속하는 배선 전극(7)을 설치하고, 각 n 형 및 p 형 열전 반도체(8, 9)를 전기적으로 직렬 접속하여 열전 소자 블록(3)으로 되게 한다. 이 열전 소자 블록(3)의 직렬 접속된 열전 반도체의 일단부와 타단부에 대응하는 열전 반도체에 각각 전기적으로 접속한 접속 전극쌍(6a, 6b)을 형성한다. 이 열전 소자 블록(3)의 한 쪽 배선 단면(3a)을 가요성 기판(2)의 개구부(2a)를 통해서 절연층을 통해 하부 열전도판(1)의 상면을 고착하여 접속 전극쌍(6a, 6b)을 가요성 기판(2)에 설치한 입출력 전극쌍(10a, 10b)에 전기적으로 접속하여 열전 장치(20)를 얻는다.</p> |
