一种制备空洞层上的硅场效应晶体管的方法

摘要

本发明提供了一种制备SON型场效应晶体管的新方法，包含以下步骤：(1)形成有源区；(2)利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层；(3)制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙；(4)离子注入对源漏进行掺杂；(5)使源漏区体积膨胀填充源漏下方的空洞层；(6)完成后续步骤，直至SON器件制作完毕。本发明的制备方法中，利用了氦或者氢氦注入形成空洞技术和材料体积膨胀技术来自然形成SON器件结构，工艺简便，易于实现电路集成。同时可以和常规CMOS工艺完全兼容，便于移植到工业生产上，降低工艺复杂度，提高生产效率。

主权项

1.一种制备空洞层上的硅场效应晶体管的方法，其特征在于包含以下步骤：(1)形成有源区；(2)利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层；(3)制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙；(4)离子注入对源漏进行掺杂；(5)利用大剂量向源漏区注入重离子的方法使源漏区体积膨胀填充源漏下方的空洞层；(6)完成后续步骤，直至空洞层上的硅器件制作完毕。