四端子栅控薄膜有机晶闸管

摘要

一般地描述了用于四端子、栅控薄膜晶闸管器件的技术。晶闸管器件可以主要是具有附加发射极端子的n型薄膜晶体管(TFT)。晶闸管器件可以由于电导调制而呈现出S型负微分电阻(NDR)特性。电导调制可通过用于由于器件的内在结构而导致的电流的次沟道的形成而引起。次沟道可以形成在器件内的半导体区域内，半导体区域包括空穴传输有机半导体层(HTL)和电子传输有机半导体层(ETL)。晶闸管器件的栅极端子可以进一步允许控制NDR特性的起始并且可以允许器件被关断。

主权项

一种半导体器件，包括：两层半导体区域，其包括空穴传输层(HTL)和毗邻的电子传输层(ETL)；源极端子，其被配置为在相应的第一端部处接触所述HTL和所述ETL；漏极端子，其被配置为在相应的第二端部处接触所述HTL和所述ETL，所述第二端部与所述第一端部相对；发射极端子，其被配置为接触所述HTL；介电层，其被配置为接触所述源极端子、所述漏极端子和所述ETL；以及栅极端子，其被配置为接触所述介电层，其中所述半导体器件被配置为呈现出负微分电阻(NDR)特性。