炭化珪素半導体装置およびその製造方法

摘要

ゲート絶縁膜の電界強度を緩和するとともに、ＯＮ抵抗の低い炭化珪素半導体装置を得る。この炭化珪素半導体装置は、ｎ型炭化珪素基板１と、ｎ型炭化珪素基板１の上面に形成されたドリフト層２と、ドリフト層２中に形成され、内部にゲート絶縁膜８とゲート電極９とを有するトレンチ７と、トレンチ７と間隔を空けて平行に形成され、トレンチ７より深いｐ型高濃度ウェル領域６と、トレンチ７の底部端より上面側へトレンチ７底部のゲート絶縁膜８の膜厚程度上方位置からｐ型高濃度ウェル領域６の下端に向けて、徐々に深く形成されるｐ型ボディ領域４と、を有する。