发明名称 |
一种可调谐太赫兹单模发生器 |
摘要 |
本发明属于太赫兹波科学与技术领域,具体涉及一种太赫兹波可控的可调谐太赫兹单模发生器。一种可调谐太赫兹单模发生器,包括液晶填充层和电介质层,所述电介质层构成圆柱状中空变截面周期波导结构,将液晶填充到电介质层构成圆柱状中空变截面周期波导结构的中空处形成液晶层,所述液晶填充层是对磁场敏感的向列型液晶,且填充在圆柱状变截面周期波导中,波导两端用电介质层封口。本发明提供的太赫兹单模发生器,通过波导截面的周期性变化,引发其中多横模共振相互作用,有效地实现低阶模式到高阶模式的转化并输出;高阶模式损耗小、消光比高、透过率稳定,并且可调谐范围宽;制备工艺简单、价格低廉、体积小、重量轻、便于集成。 |
申请公布号 |
CN105932523A |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201610356581.1 |
申请日期 |
2016.05.25 |
申请人 |
哈尔滨工程大学 |
发明人 |
陶智勇;徐丹;赵秋玉;徐兰兰;桑汤庆;樊亚仙 |
分类号 |
H01S1/04(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I |
主分类号 |
H01S1/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种可调谐太赫兹单模发生器,包括液晶填充层和电介质层,其特征在于:所述电介质层构成圆柱状中空变截面周期波导结构,将液晶填充到电介质层构成圆柱状中空变截面周期波导结构的中空处形成液晶层,所述液晶填充层是对磁场敏感的向列型液晶,且填充在圆柱状变截面周期波导中,波导两端用电介质层封口。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室 |