一种制备导电薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备导电薄膜的方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A．沉积镍层：在玻璃基底上沉积1～2个镍原子厚的镍薄膜层；B．沉积石墨烯层：采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为40～60μm；所述CVD法沉积过程中，碳源为甲烷，气体为体积比为2～5:1的H₂和He的混合气体；所述甲烷与混合气体的体积比为8～10:1；C．清洗、干燥：将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可，经检测，本发明制得的导电薄膜的透光率≥85%。与现有技术相比，本发明具有生产成本低，制备方法简单，透光率高优点。

主权项

一种制备导电薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：A．沉积镍层在洁净、干燥的玻璃基底上沉积1～2个镍原子厚的镍薄膜层；B．沉积石墨烯层采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为40～60μm；所述CVD法沉积过程中，碳源为甲烷，气体为体积比为2～5:1的H₂和He的混合气体；所述甲烷与混合气体的体积比为8～10:1；C．清洗、干燥将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可；所述导电薄膜的透光率≥85%。