| 发明名称 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR INCLUANT L'ACTION DE PLASMA |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2571542(B1) |
申请公布日期 |
1987.01.23 |
| 申请号 |
FR19840015484 |
申请日期 |
1984.10.09 |
| 申请人 |
LABO ELECTRONIQUE PHYSIQUE APPLI |
发明人 |
SERGE GOURRIER ET JEAN-BERNARD THEETEN;THEETEN JEAN-BERNARD |
| 分类号 |
H01L21/318;H01L21/324;H01L21/338;H01L29/51;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/318 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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