| 摘要 |
<p>본 발명은 감광막 형성방법에 관한 것으로서, 특히, 하프-톤 마스크(half tone mask) 제조공정에서 제 2 감광막 도포공정전 단계에서 차광막패턴 및 투면기판 표면에 생성된 잔막을 제거한 다음 감광막을 도포하므로서 감광막 리프팅(resist lifting)현상을 방지하는 감광막 접착성 향상방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 감광막 형성방법은 광투과영역과 광차단영역이 정의된 투명기판 상에 제 1 막과 제 2 막을 차례로 형성하고 제 2 막 위에 광투과영역의 소정부위에 대응하는 제 2 막의 표면을 노출시키는 감광막패턴을 형성하는 단계와, 감광막패턴으로 보호되지 않는 제 2 막을 플라즈마 건식식각으로 제거하여 잔류한 제 2 막으로 이루어진 제 2 막패턴을 형성하는 단계와, 감광막패턴을 제거하는 단계와, 제 2 막패턴을 식각마스크로 이용하여 제 1 막을 플라즈마 건식식각으로 패터닝하여 제 1 막패턴을 형성하고 투명기판의 소정 부위를 노출시키는 단계와, 플라즈마 건식식각으로 발생한 잔막을 제거하는 단계와, 제 2 막패턴과 제 1 막패턴을 포함하는 투명기판의 전면에 감광막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
