发明名称 | 放电式过电压吸收元件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种放电式过电压吸收元件及其制造方法。其结构包括:在气密容器内充入放电气体,将接有引线的多个放电电极平行或对顶放置,形成放电间隙;在容器的内表面上形成沿面放电性能良好的层体,经过加热等方式进行密封,制成元件。其特征为:在上述引线与层体之间,经过热处理加工,形成微隙,或采用激光照射的方式等,除去容器内表面上的一部分层体,形成缺口,并在与缺口相对应的位置处做出微凹口,借以提高元件的放电响应性能。 | ||
申请公布号 | CN1046600C | 申请公布日期 | 1999.11.17 |
申请号 | CN95107780.5 | 申请日期 | 1995.06.28 |
申请人 | 冈谷电机产业株式会社 | 发明人 | 小田征一郎;井田顺一;向井昭雄;河西良人 |
分类号 | H01T4/12 | 主分类号 | H01T4/12 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
主权项 | 1.一种放电式过电压吸收元件,其中,在气密容器内充入放电气体,将接有引线的多个放电电极相对设置,在各放电电极之间形成放电间隙,并将各放电电极的引线穿过上述气密容器引到外部,同时在上述气密容器内的表面上、至少在上述引线之间、以构成上述放电电极的物质为材料,形成沿面放电特性良好的层体,其特征为:在上述引线与上述层体的端部之间形成微隙。 | ||
地址 | 日本东京 |