| 发明名称 | 浅沟槽隔离区的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离区的制造方法，此方法首先提供一晶片，其中晶片上已形成有一掩模层。接着，提供一空白晶片，并且将空白晶片送进一蚀刻机台中以进行一蚀刻制作工艺。之后，检视空白晶片产生的一缺陷数量，倘若空白晶片上的缺陷数量小于一标准值，才将晶片送进蚀刻机台中以进行蚀刻制作工艺，而于晶片中定义出一沟槽。继之，在沟槽中填入一绝缘层，然后将掩模层移除，而形成一浅沟槽隔离区。 | ||
| 申请公布号 | CN1259706C | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN03100237.4 | 申请日期 | 2003.01.06 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 马思尊;张国华 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种浅沟槽隔离区的制造方法，其特征在于：包括：提供一晶片，该晶片上已形成有一掩模层；提供一空白晶片；将该空白晶片送进一蚀刻机台中以进行一蚀刻制作工艺；在该蚀刻制作工艺之后，检测该空白晶片上的缺陷数量；倘若该空白晶片上的该缺陷数量小于一标准值，才将该晶片送进该蚀刻机台中以进行该蚀刻制作工艺，而于该晶片中定义出一沟槽；在该沟槽中填入一绝缘层；以及移除该掩模层，以形成一浅沟槽隔离区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||