| 摘要 |
<p>본 발명은 금속 게이트 전극을 포함하는 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 반도체 기판 상에 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 게이트 절연막 상부에 게이트 전극용 금속막을 증착하는 단계; 상기 금속막 상부에 버퍼막을 형성하는 단계; 상기 버퍼막 상부에 베리어막 및 난반사 방지막을 순차적으로 적층하는 단계; 및 상기 난반사 방지막, 베리어막, 버퍼막, 게이트 전극용 금속막 및 게이트 절연막을 소정 부분 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 버퍼막은 상기 게이트 전극용 금속막과 상기 베리어막과 중간 정도의 물질 특성을 갖으며, 상기 게이트 전극용 금속막의 성분중 일부와 상기 베리어막의 성분중 일부를 포함하는 것을 특징으로 한다.</p> |
