| 摘要 |
<p>본 발명은 텅스텐막을 이용한 게이트 전극의 형성시 게이트 산화막 특성을 확보함과 더불어 기판의 리세스를 방지할 수 있는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따라, 필드 산화막이 형성된 반도체 기판 상에 게이트 산화막, 텅스텐 질화막, 티타늄 질화막, 텅스텐막 및 마스크층을 순차적으로 형성하고, 마스크층 및 텅스텐막을 제 1 식각으로 선택적으로 식각한다. 그런 다음, 티타늄 질화막을 제 2 식각으로 선택적으로 식각하고, 텅스텐 질화막을 게이트 산화막 및 기판과의 식각선택비가 우수한 개스를 이용한 제 3 식각으로 선택적으로 식각하여 게이트 전극을 형성한다. 또한, 제 1 식각은 SF개스를 이용하여 건식식각으로 진행하고, 제 2 식각은 Cl개스와 O개스의 혼합개스를 이용하여 건식식각으로 진행하며, 제 3 식각은 NF개스와 O개스의 혼합개스를 이용하여 건식식각으로 진행한다.</p> |
