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发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要 <p>본 발명의 반도체 기억장치는 제 1 단자의 전위와 제 2 단자의 전위 사이의 전위차를 증폭하기 위한 센스 앰플리파이어, 제 1 단자와 비트선 사이에 배치된 제 1 부하게이트, 및 제 2 단자와 참조선 사이에 배치된 제 2 부하게이트를 포함한다. 제 1 부하게이트로 흐르는 전류는 비트선의 전위에 의해 제어되고, 제 2 부하게이트로 흐르는 전류는 참조선의 전위에 의해 제어된다.</p>
申请公布号 KR100315139(B1) 申请公布日期 2001.11.24
申请号 KR19990014603 申请日期 1999.04.23
申请人 null, null 发明人 호따야스히로
分类号 G11C16/06;G11C7/06;G11C7/14;G11C11/4091 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
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