| 发明名称 | 不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在非单晶硅层(12)上面形成的薄膜晶体管(15)，暴露在300℃到400℃氢等离子体(LPZ)辐射的氢离子(HD)中，以便钝化非单晶硅层中的陷阱能级，以后，在200℃到300℃氮气氛中退火薄膜晶体管，如从栅绝缘层(13)中排除残留的氢，因此改善薄膜晶体管的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1154001A | 申请公布日期 | 1997.07.09 |
| 申请号 | CN96121673.5 | 申请日期 | 1996.10.31 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 林文彦 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/324;H01L27/12 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;董江雄 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：(a)制造由第1绝缘层(11/31)覆盖上表面的结构(10/11；30/31)；(b)制备薄膜晶体管(15；37)，它具有在所述第1绝缘层上面的非单晶半导体层(12；35)；(c)制成半导体结构，它至少具有用于覆盖薄膜晶体管的第2绝缘层(16；38)；(d)把所述半导体结构暴露在由含氢气体混合物(GAS1)产生的等离子(PLZ)辐射的氢离子(HD)中；以便钝化所述非单晶半导体层中的陷阱能级，其特征是，在300℃到400℃进行所述的氢暴露，所述处理进一步包括步骤(e)，除了非单晶半导体层，在200℃到300℃之间，从所述半导体结构中排除残留的氢。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||