| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，包括一个介于栅电极与多晶硅半导体层之间的绝缘体；具有有源区和漏区的多晶硅半导体层；及在源区与漏区之间的沟道。绝缘体包括ＯＮＯ结构，它有与多晶硅半导体层接触的层间氧化物层，与栅电极接触的顶层氧化物层和介于层间氧化物层与顶氧化物层之间的氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1050228C | 申请公布日期 | 2000.03.08 |
| 申请号 | CN95113143.5 | 申请日期 | 1995.12.29 |
| 申请人 | 夏普株式会社;三角形研究学会 | 发明人 | 森田达夫;罗伯特·Ｊ·马库纳斯 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 刘立平 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括一位于栅电极与多晶硅半导体层之间的绝缘体、具有源区和漏区的多晶硅半导体，在所述源区与漏区之间具有沟道，其特征在于：所述绝缘体包括一层与多晶硅半导体层接触的层间氧化物层、一层与栅电极接触的栅氧化物层、和位于层间氧化物层与栅氧化物层之间的氮化物层，所述氮化物层是以化学气相淀积法形成于氮化物层上，所述层间氧化物层和氮化物层的厚度比为2∶1。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||