| 主权项 |
1.一种将一含铜或铜合金之表面加以平坦化并减少表面缺陷的方法,该方法至少包含:进行化学机械研磨,将该表面平坦化;使用一研浆进行抛光;使用一抗化剂溶液进行漂洗;使用一溶液进行抛光,用以移除氧化铜;以及使用一抗化剂进行漂洗。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中:能够移除氧化铜之溶液包含柠檬酸、氢氧化铵及去离子水;以及该抗化剂溶液包含苯并三唑或5-甲基三唑。3.一种将一含铜或铜合金之晶圆表面加以平坦化并减少表面缺陷的方法,该方法至少包含下列相继之步骤:(a)进行化学机械研磨,将该表面平坦化;(b)使用一溶液进行抛光,用以移除氧化铜(c)使用去离子水或一抗化剂溶液进行漂洗;(d)使用一研浆进行抛光;以及(e)使用去离子水或一抗化剂溶液进行漂洗。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述使用于步骤(b)之溶液包含柠檬酸、氢氧化铵及去离子水。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述使用于步骤(c)与/或步骤(e)之抗化剂溶液包含苯并三唑或5-甲基三唑。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述使用于步骤(b)之溶液包含重量百分比约2.0%至26%的柠檬酸、重量百分比约0.020%至3.2%的氢氧化铵以及其余的去离子水。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述使用于步骤(b)之溶液包含重量百分比约2.16%至25.9%的柠檬酸以及重量百分比约0.26%至3.1%的氢氧化铵。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述使用于步骤(b)之溶液包含重量百分比约8.63%的柠檬酸以及重量百分比约1.03%的氢氧化铵。9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之抗化剂溶液包含重量百分比约0.01%至0.50%的苯并三唑或5-甲基三唑以及去离子水。10.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述使用于步骤(b)之溶液包含重量百分比达约26%的柠檬酸、重量百分比达约5%的氢氧化铵与/或胺类以及其余的去离子水。11.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之晶圆表面包含:一介电层,其具有一上表面层及至少一开口;一阻障层,其形成于该开口之内层及该介电层之上表面层;以及铜式铜合金,其充填于该开口及该介电层之上;执行步骤(a)之方法包含:在一第一平台上进行化学机械研磨,用以磨除大部分过多的铜式铜合金层而在该阻障层上留下一铜或铜合金之不连续薄膜层;以及在一第二平台上进行抛光处理,用以磨除该铜或铜合金之不连续薄膜层以及该阻障层,并在该开口内之铜或铜合金层留下一含有缺陷之暴露表面。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其包含在一第三平台上进行步骤(b)至步骤(e)。13.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述使用于步骤(b)之溶液的酸硷度(pH値)约介于3.9至4.1之间。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述使用于步骤(b)之溶液的酸硷度(pH値)约介于3.9至4.1之间。图式简单说明:第一图至第四图系例示根据本发明之一实施例的方法,逐步进行不同阶段的剖面图。 |
