发明名称 The Balun circuit with cross-coupled between gate and source of Field Effect Transistors
摘要 <p>본 발명은 단일 신호를 입력으로 받아 크기가 같고 180°의 위상 차이를 갖는 상보신호를 출력하는 발룬 회로에 관한 것으로, 무선 통신 시스템에 있어서 누설전력을 줄이고 선형성을 증가시키기 위한 balanced 혼합기에 필수적인 회로이다. 이러한 발룬 회로는 입력 신호의 크기에 대해 두 출력 상보 신호의 크기가 같고 위상은 180°의 일정한 차이를 가져야 한다. 그러나 종래의 회로는 작은 입력 신호에서는 두 출력 신호의 크기가 같고 위상이 반대이지만, 입력 신호가 커질수록 출력신호의 크기와 위상에 대한 비대칭이 증가하여 그로 인한 누설 전력의 증가와 선형성의 저하로 시스템 전체 성능의 손실을 가져왔다. 본 발명에서는 이를 해결하기 위하여 두 출력 단의 게이트 공통인 전계 효과 트랜지스터의 게이트와 소오스를 교차 연결시킴으로써 큰 입력신호에 대한 두 상보 출력신호의 크기와 위상의 비대칭성을 보상하였고, 본 발명의 발룬 회로를 double-balanced 혼합기에 적용하여 선형성의 향상을 가져왔다.</p>
申请公布号 KR100318155(B1) 申请公布日期 2001.12.22
申请号 KR19990029215 申请日期 1999.07.20
申请人 null, null 发明人 김지환;윤광준;한기천
分类号 H03D3/00;H03K19/00 主分类号 H03D3/00
代理机构 代理人
主权项
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