OXIDE FOR SEMICONDUCTOR LAYER OF THIN-FILM TRANSISTOR, SPUTTERING TARGET, AND THIN-FILM TRANSISTOR

摘要

본 발명에 관한 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물은, Zn, Sn 및 In을 포함하고, 산화물에 포함되는 금속 원소의 함유량(원자％)을 각각, [Zn], [Sn] 및 [In]으로 하였을 때, 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 것이다. [수학식 1][수학식 2][수학식 3]본 발명에 따르면, 높은 이동도를 실현할 수 있고, 또한, 스트레스 내성(스트레스 인가 전후의 임계값 전압 시프트량이 적은 것)도 우수한 박막 트랜지스터용 산화물을 제공할 수 있었다.