发明名称 一种Cu:NiO纳米粒子、发光二极管及其制备方法
摘要 本发明公开一种Cu:NiO纳米粒子、发光二极管及其制备方法,其中,包括步骤:将镍盐和铜盐溶于去离子水中,然后使用碱溶液将溶液的pH调至pH=9~11,获得沉淀;然后将获得的沉淀进行离心和洗涤,接着将沉淀在60~120℃下烘干,随后在250℃~300℃下加热,制备得到Cu:NiO纳米粒子;最后将制备得到的Cu:NiO纳米粒子通过超声的方法分散到水溶液或者醇溶液中,制得分散于水溶液或者醇溶液的Cu:NiO纳米粒子。本发明制备薄膜无需高温退火,无需隔绝水氧,不需要苛刻的无水无氧环境。Cu:NiO纳米粒子应用于QLED器件时,可有效提高其载流子传输的能力和降低空穴的注入势垒,提高QLED的效率。
申请公布号 CN105895829A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610263137.5 申请日期 2016.04.26
申请人 TCL集团股份有限公司 发明人 王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊
分类号 H01L51/56(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01L51/56(2006.01)I
代理机构 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 代理人 王永文;刘文求
主权项 一种Cu:NiO纳米粒子的制备方法,其特征在于,包括步骤:A1、将镍盐和铜盐溶于去离子水中,然后使用碱溶液将溶液的pH调至pH=9~11,获得沉淀;A2、然后将获得的沉淀进行离心和洗涤,接着将沉淀在60~120℃下烘干,随后在250℃~300℃下加热,制备得到Cu:NiO纳米粒子;A3、最后将制备得到的Cu:NiO纳米粒子通过超声的方法分散到水溶液或者醇溶液中,制得分散于水溶液或者醇溶液的Cu:NiO纳米粒子。
地址 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区