| 摘要 |
<p>본 발명은 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 탄소 나노튜브를 이용한 3전극 전계방출소자의 일 예는 촉매전이금속층의 면적을 최소화하는데 한계가 있기 때문에 탄소 나노튜브의 면적이 증가하여 게이트전극을 통하여 가해지는 전계가 집중되지 않아 방출전자의 빔이 퍼지게 될 뿐만 아니라 전자방출영역도 고르지 못하여 전계가 제일 강한 홀의 주변에서만 국부적으로 전자방출이 일어날 가능성이 높고, 또한 비대칭적인 전계분포에 의해 게이트전극으로의 누설전류가 많은 문제점을 안고 있다. 종래 탄소 나노튜브를 이용한 3전극 전계방출소자의 다른 예는 게이트전극으로 적용되는 금속 그리드의 이격영역과 패터닝된 캐소드전극과의 정렬이 어렵고, 탄소 나노튜브에서 방출되는 전자들의 많은 양이 금속 그리드의 게이트전극을 통하여 누설되기 때문에 방출전자의 효율이 낮은 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 탄소 나노튜브와 게이트전극을 동일 평면상에 형성하는 전계방출소자 및 그 제조방법을 제공하여 단순화된 제조공정 및 용이한 공정제어를 통해 낮은 구동전압을 갖는 전계방출소자의 제작이 가능한 효과와; 균일하고 안정된 전자방출특성을 실현할 수 있게 되어 대면적의 적용이 가능한 효과가 있다.</p> |
