| 摘要 |
<p>본 발명은 개발 트렌치 레이아웃(developmental trench layout)에 사용되어 마이크로 로딩(micro loading)과 2차 로딩(secondary loading)을 포함하는 로딩 효과에 대처하는 더미 트렌치(dummy trench)에 관한 것이다. 개발 단계에서 더미 트렌치를 사용함으로써 디바이스 트렌치(device trench)의 최종 디자인 로딩(final etching protocol)을 갖지 않는 레이아웃 내에 트렌치 에칭 프로토콜(etching protocol)을 설정할 수 있는데, 이 프로토콜은 리엔지니어링(reengineering)을 할 필요없이 최종 칩을 형성하는 데 직접 사용될 수 있다. 또한, 더미 트렌치는 로직과 DRAM 레이아웃의 결합을 포함하는 칩의 디자인에 사용되어, 반대 로딩 효과를 유도하고, 상이한 로직 레이아웃을 포함하는 다양한 칩을 위한 공통 DRAM 트렌치 레이아웃을 이용하게 할 수 있다.</p> |
