| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 一个MIS型场效应晶体管具有用硅化钛层(26a)覆盖的源/漏区(25e)，硅化钛层与埋入硅基片(20)的被埋入置的绝缘结构24相接，接触孔(27a)在氧化硅的中间绝经级层27中形成，中间绝缘层(27)暴露一部分上氮化硅层(23)和一部分硅化钛层(26a)于该接触孔(27a)，当中间绝缘层(27)被有选择地腐蚀以形成接触孔(27a)，上氮气硅层(23)就作为阻蚀层，接触孔(27a)绝不会到达埋置绝缘结构(24)下面的硅基片(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN1141510A | 申请公布日期 | 1997.01.29 |
| 申请号 | CN96105708.4 | 申请日期 | 1996.02.21 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 松本明 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体组件包括：一个导电区(25e/26a)，它提供一个接触表面；一个绝缘区(24)，它与所述的导电区相邻；和一个接触结构(28/29/30)它和上述导电区电连接，其特征在于，所述绝缘区(24)具有一个和上述接触表面共面的上表面，并且所述接触结构(28/29/30)被安排在上述导电区(25e/26a)的一部和上述绝缘区(24)的一部分上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||