| 发明名称 |
FORMATION METHOD OF METAL LAYER IN SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0161116(B1) |
申请公布日期 |
1999.02.01 |
| 申请号 |
KR19950000133 |
申请日期 |
1995.01.06 |
| 申请人 |
LG SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
发明人 |
CHUN, YONG-KWAN |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/203;H01L21/265;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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