MOS TRANSISTOR MEMORY CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

摘要

Die Speicherzelle weist einen vertikalen MOS-Transistor auf, der eine erste Gateelektrode, die elektrisch isoliert ist, und eine zweite Gateelektrode umfasst. Die zweite Gateelektrode (140) ist teilweise in einem Graben angeordnet, an dessen Flanke der MOS-Transistor angrenzt. Die erste Gateelektrode ist ausserhalb des Grabens angeordnet und weist an der Grabenkante eine Spitze (90, 100) auf, die eine Programmierung bei verringertem Stromfluss ermöglicht. Die Speicherzelle ist durch selbstjustierende Herstellung mit einem Flächenbedarf von 6 F<2> herstellbar.