| 摘要 |
<p>본 발명은 캐패시터 콘택 형성을 위한 층간절연막 식각 과정에서 플라즈마에 의한 강유전체의 특성 저하를 방지할 수 있는 강유전체 메모리 소자 제조 방법에 관한 것으로, 타임-모듈레이티드 플라즈마(time modulated plasma) 즉, 플라즈마 펄스를 이용하여 캐패시터를 덮는 층간절연막을 식각하는데 특징이 있다. 이로써 플라즈마 성질을 고려한 공정 여유도에 관계없이 손상이 적은 식각을 실시할 수 있고, 식각에 의한 강유전체 특성 저하를 방지할 수 있고, 후속 회복 열처리 공정을 생략하거나 단축시킬 수 있으며, 공정의 단순화 및 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.</p> |
