| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之电容器结构,其中第二隔离层较第一隔离层厚很多。3.如申请专利范围第1或第2项之电容器结构,其中第一导电层用之终端接触区(10)配置在基板之下侧,第二导电层用之终端接触区(9)配置在基板之上侧。4.如申请专利范围第3项之电容器结构,其中该配置在上侧之终端接触区(9)位于接触区域(15)中,此接触区域(15)配置在二个电容器区域(13)之间。5.如申请专利范围第1项之电容器结构,其中第一隔离层(5)在整个边缘区域(14)上方延伸且亦在依情况而存在之接触区域(15)上方延伸。6.如申请专利范围第1或第5项中任一项之电容器结构,其中第二隔离层(7)在整个边缘区域(14)上方延伸且亦在依情况而存在之接触区域(15)上方延伸。7.如申请专利范围第1项之电容器结构,其中第二隔离层(7)具有一种倾斜之边缘(12),此边缘(12)在电容器区域(13)之最后邻接于该边缘区域(14)之此种纵向延伸之凹口(3')和纵向延伸之笔一凹口(3'')之间是配置在边缘区域(14)中。8.如申请专利范围第6项之电容器结构,其中第二隔离层(7)具有一种倾斜之边缘(12),此边缘(12)在电容器区域(13)之最后邻接于该边缘区域(14)之此种纵向延伸之凹口(3')和纵向延伸之第一凹口(3'')之间是配置在边缘区域(14)中。图式简单说明:第1图本发明电容器结构之横切面。第2图是第1图所示电容器结构之已放大之区域。第3图本发明电容器结构之另一个横切面,其中除了边缘区域14外亦显示该接触区域15。第4图是第3图中之横切面之一部份之放大图。 |
