集成电路制造方法

摘要

为了缩短半导体集成电路器件的开发和制造周期，在用曝光工艺将集成电路图形转移到晶片上时，采用了一种光掩模PM1，除了由金属组成的遮光图形之外，它还部分地配备有由抗蚀剂膜组成的遮光图形3a。

主权项

1.一种制造半导体集成电路器件的方法，包括以下步骤：通过利用光掩模的曝光工艺，将预先确定的图形转移到在半导体晶片主表面上形成的抗蚀剂膜上，这个光掩模在掩模衬底的主表面上具有抗蚀剂膜形成的遮光部分和金属形成的遮光部分，其中所述方法还包含以下步骤：清除由抗蚀剂膜组成的遮光部分，代之以制作一个由抗蚀剂膜组成的新的遮光部分。