半导体单结晶制造方法

摘要

[课题]在藉由CZ法制造半导体单结晶时，可使得与拉引单结晶之热经历有关之品质特性的管理变得较为容易[解决方法]在半导体单结晶装置中设置可昇降之环状的补助加热器(after heater)19。为了使得通过拉引中的单结晶矽13之1200℃~1000℃温度区域时之温度梯度为20℃/cm以下，且最好为15℃/cm以下，故在温度较相当于前述温度范围之部位低100~300℃之部位使用补助加热器19加热之。藉由热遮蔽筒20，使得通过融点~1250℃之温度区域时之温度梯度形成20℃/cm以上，故可使得结晶化变得较为容易。藉由此，以得出具有优异的氧化膜耐压及均一的氧析出量之单结晶矽。当多结晶矽溶解时及扭转工程时，使得补助加热器19及热遮蔽筒20朝上方移动。

主权项

1.一种半导体单结晶之制造方法,其系使用设置有围绕拉引中之单结晶的环状补助加热器之半导体单结晶制造装置,当欲使得通过拉引中之单结晶的特定温度区域之温度梯度变化时,在拉引中的单结晶之温度较相当于前述特定温度区域的部位低100-300℃之部位处配置补助加热器,以一面加热此部位一面进行单结晶的拉引,其中,使得拉引中之单结晶的温度自融点下降至1250℃时之温度梯度为20℃/cm以上;自1200℃下降至1000℃时之温度梯度为小于20℃/cm。图式简单说明:图1系显示依据本发明之第1实施例之半导体单结晶制造装置的概略构成之纵剖面图。图2系显示在图1的半导体单结晶制造装置中,当补助加热器及热遮蔽筒为上昇的状态下之纵剖面图。图3系显示本发明的第2实施例中补助加热器昇降之模式图。图4系显示本发明的第3实施例中补助加热器昇降之模式图。图5系显示本发明的第4实施例中补助加热器昇降之模式图。图6系显示本发明之其他利用方法之模式图。