| 摘要 |
表面に複数の凸部（１ａ）を有するとともに表面が窒化物半導体中間層（２）で被覆された基板（１）と、基板（１）上の凸部（１ａ）と凸部（１ａ）の間に、凸部（１ａ）の中心を含む少なくとも一部の表面が露出するように順に設けられた、第１の窒化物半導体下地層（３）と、第１の窒化物半導体下地層（３）の全体を被覆する第２の窒化物半導体下地層（４）と、第２の窒化物半導体下地層（４）の全体を被覆する第３の窒化物半導体下地層（５）と、凸部（１ａ）の露出した表面および第３の窒化物半導体下地層（５）の全体を被覆する第４の窒化物半導体下地層（６）と、を備え、第１の窒化物半導体下地層（３）は、第１の斜めファセット面を有し、第２の窒化物半導体下地層（４）は、第２の斜めファセット面と第２の基板平行面を有し、第３の窒化物半導体下地層（５）は、第３の斜めファセット面と第３の基板平行面を有する、窒化物半導体構造体（１０）。 |
