| 摘要 |
본 발명은, 매입 절연층 상에 SOI층이 형성된 SOI 웨이퍼에 파장 λ의 광을 조사하고, SOI 웨이퍼로부터의 반사광의 강도에 근거하여 SOI 웨이퍼의 위치 제어를 실시하는 공정을 가지는 디바이스 제작 공정 또는 검사 공정으로 이용하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법으로서, 적어도, 제조 후의 SOI 웨이퍼에 행해지는 위치 제어를 실시하는 공정으로 이용하는 광의 파장 λ에 따라서, SOI 웨이퍼의 매입 절연층의 두께를 설계하는 공정과, 설계한 두께의 매입 절연층 상에 SOI층이 형성된 SOI 웨이퍼를 제작하는 공정을 가지는 SOI 웨이퍼의 제조 방법이다. 이에 의해, SOI층 막두께 변동에 수반하는 광의 반사율의 변동을 억제하여 SOI 웨이퍼의 위치 제어의 정밀도를 향상할 수 있고, 또한 벌크 실리콘 웨이퍼의 디바이스 제작 공정 또는 검사 공정으로 사용하고 있는 위치 제어를 위한 기구와 공용하여 코스트를 삭감할 수 있는 SOI 웨이퍼의 설계 방법 및 제조 방법이 제공된다. |
