FABRICATION D'UNE ZONE IMPLANTEE ET D'UNE REPRISE DE CONTACT PAR UN FAISCEAU D'IONS FOCALISE

摘要

Procédé de réalisation d'une zone de contact dans un support comprenant la réalisation d'un trou borgne doté d'un fond et de parois latérales dans une région à base de matériau semi-conducteur du support par exposition à un faisceau d'ions focalisé, les paramètres d'exposition au faisceau d'ions étant prévus de sorte à former simultanément à la gravure du trou une zone dopée disposée au fond du trou (figure 1A).