发明名称 一种铁基化合物超导薄膜的制备方法
摘要 一种铁基化合物超导薄膜的制备方法。把铁基超导化合物靶材放入脉冲激光外延沉积系统中,在真空度低于9×10<sup>‑5</sup>Pa的环境下,以脉冲激光熔融铁基超导化合物靶材,并在加热的金属基带上沉积成膜。沉积过程中靶材和金属基带保持有距离;靶材和金属基带两者均保持自转。沉积完成后,降温至环境温度,形成铁基化合物超导薄膜。所述的金属基带为IBAD或RABiTS;金属基带的加热温度为350℃~950℃,沉积时间为50~200分钟,真空度低于9×10<sup>‑5</sup>Pa,激光能量密度为每脉冲100mJ~350mJ,靶材与金属基带之间的距离为3.5cm~5.5cm。所述的铁基超导化合物靶材为FeSe<sub>1‑x</sub>Te<sub>x</sub>,0.1&lt;x&lt;0.9或Ba(Fe<sub>1‑x</sub>Co<sub>x</sub>)<sub>2</sub>As<sub>2</sub>,0.05&lt;x&lt;0.9或BaFe<sub>2</sub>(As<sub>1‑x</sub>P<sub>x</sub>)<sub>2</sub>,0.1&lt;x&lt;0.9。
申请公布号 CN105839056A 申请公布日期 2016.08.10
申请号 CN201610186647.7 申请日期 2016.03.29
申请人 中国科学院电工研究所 发明人 徐中堂;马衍伟;原蒲升
分类号 C23C14/28(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 主分类号 C23C14/28(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 关玲
主权项 一种铁基化合物超导薄膜的制备方法,其特征在于所述的制备方法步骤如下:把铁基超导化合物靶材放入脉冲激光外延沉积系统中,在真空度低于9×10<sup>‑5</sup>Pa的环境下,以脉冲激光熔融铁基超导化合物靶材,在加热的金属基带上沉积成膜;沉积过程中靶材和金属基带保持有距离;靶材和金属基带两者均保持自转;沉积完成后,降温至环境温度,形成铁基化合物超导薄膜;所述的金属基带为IBAD或RABiTS;金属基带的加热温度为350℃~950℃,沉积时间为50~200分钟,真空度低于9×10<sup>‑5</sup>Pa,激光能量密度为每脉冲100mJ~350mJ,靶材与金属基带之间的距离为3.5cm~5.5cm;所述的铁基超导化合物靶材为FeSe<sub>1‑x</sub>Te<sub>x</sub>,0.1&lt;x&lt;0.9或Ba(Fe<sub>1‑x</sub>Co<sub>x</sub>)<sub>2</sub>As<sub>2</sub>,0.05&lt;x&lt;0.9或BaFe<sub>2</sub>(As<sub>1‑x</sub>P<sub>x</sub>)<sub>2</sub>,0.1&lt;x&lt;0.9。
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