| 发明名称 |
METHODS TO ENHANCE DOPING CONCENTRATION IN NEAR-SURFACE LAYERS OF SEMICONDUCTORS AND METHODS OF MAKING SAME |
| 摘要 |
다이는 반도체 돌출부, 및 돌출부상의 표면-도핑 구조를 포함한다. 표면-도핑 구조는 콘택트 금속화물과 접촉한다. 돌출부는 트랜지스터용 소스 또는 드레인 콘택트일 수 있다. 표면-도핑 구조의 제조 방법은 습식, 기상 및 이온주입 기술을 포함하며, 표면 도핑을 반도체 돌출부의 표면-근처 깊이까지만 몰아넣는 어닐링 기술을 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160099723(A) |
申请公布日期 |
2016.08.22 |
| 申请号 |
KR20167021518 |
申请日期 |
2011.12.27 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
MUKHERJEE NILOY;DEWEY GILBERT.;RADOSAVLJEVIC MARKO;GOEL NITI;KABEHIE SANAZ;METZ MATTHEW V.;CHAU ROBERT S. |
| 分类号 |
H01L21/223;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/768;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L21/223 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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