| 摘要 |
本発明の薄膜光電変換装置は、基板（２）の一主面上に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜（４）；コンタクト層（５）；ｐ型半導体層、ｉ型半導体層およびｎ型半導体層をこの順に有する光電変換ユニット（６）；および裏面電極層（８）、をこの順に備える。コンタクト層（５）は、基板（２）側から順に、真性な結晶質半導体層（５１）およびｐ型結晶質半導体層（５２）を有し、コンタクト層（５）の真性な結晶質半導体層（５１）と透明導電膜（４）とが接している。コンタクト層（５）のｐ型結晶質半導体層（５２）は、リコン酸化物；シリコン窒化物；およびシリコンカーバイドからなる群から選択されるシリコン合金を主成分とする層であることが好ましい。 |
