| 主权项 |
1.一种无线圈式交直流电源供应装置,其主要构造系包括有:一交流电压输入端;一整流电路,为接收该交流电压输入端之交流电压并将其整流输出;一充电装置,连接该整流电路输出端,且该充电装置之一输出端则可输出直流电压并连接至负载;及一电位检测装置,连接该充电装置输出端,且电位检测装置输出端则回授至该充电装置之输入控制端,以为该充电装置中之充电元件电位范围限定控制。2.如申请专利范围第1项所述之交直流电源供应装置,其中该整流电路系可为半波整流电路及全波整流电路其中之一者。3.如申请专利范围第1项所述之交直流电源供应装置,其中该充电装置系包括有:一控制电路,其一输入端连接该整流电路输出端,而另一输入控制端则连接该电位检测装置之回授电路;及一充电电路,连接该控制电路之一输出端,而该充电电路之一输出端则连接至一负载,其为可输出直流电压至该负载者。4.如申请专利范围第3项所述之交直流电源供应装置,其中该控制电路包括有至少一个空乏型电晶体元件及负型电晶体元件其中之一者。5.如申请专利范围第4项所述之交直流电源供应装置,其中该空乏型电晶体元件系可为N-JFET型及NMOS型其中之一者。6.如申请专利范围第4项所述之交直流电源供应装置,其中该负型电晶体元件系可为P-JFET型及PMOS型其中之一者。7.如申请专利范围第3项所述之交直流电源供应装置,其中该充电电路包括有至少一个充电元件,如电容。8.如申请专利范围第1项所述之交直流电源供应装置,其中该电位检测装置包含有:一参考电位准;及一比较电路,其一输入端连接该参考电位准,另一输入端则连接该充电装置之充电电路其一输出端,而该比较电路之输出端则回授至该充电装置之控制电路其一输入控制端,为比较该充电电路中之充电元件电位与该参考电位准。9.如申请专利范围第8项所述之交直流电源供应装置,其中该比较电路包含有至少一个运算放大器。10.如申请专利范围第9项所述之交直流电源供应装置,其中该电位检测装置主要系以一运算放大器为主体,其正(+)输入端连接该充电装置控制电路之输出端,其负(-)输入端则连接一参考电压位准输入;而该运算放大器之输出端则再回授制该充电装置控制电路之一输入控制端。11.如申请专利范围第1项所述之交直流电源供应装置,其中该电位检测装置包含有:一参考电位准;及一比较电路,其一输入端连接该参考电位准,另一输入端则连接该充电装置之充电电路其一输出端;及一回授电位控制电路,连接该比较电路之输出端,而该回授电位控制电路则连接至该充电装置控制电路之一输入控制端,以控制该充电电路之可充放电范围。12.如申请专利范围第11项所述之交直流电源供应装置,其中该比较电路包含有至少一个运算放大器。13.如申请专利范围第11项所述之交直流电源供应装置,其中该回授电位控制电路包含有复数个空乏型电晶体元件,如PMOS型及NMOS型电晶体元件。14.如申请专利范围第11项所述之交直流电源供应装置,其中该电位检测装置主要系以一运算放大器为主体,其正(+)输入端连接该充电装置充电电路之输出端,其负(-)输入端则连接一参考电压位准输入;而该运算放大器之输出端则与一对互补型电晶体元件作为反相器,如PMOS型电晶体元件及NMOS型电晶体元件之闸极相连接,且该PMOS型电晶体元件之源极极连接回运算放大器之(+)正输入端,NMOS型电晶体元件之源极则接地,最后,该PMOS型与NMOS型电晶体元件之汲极再共同接至该充电装置控制电路之一输入控制端。图式简单说明:第1图:为习用交直流电源供应电路;第2图:为本创作一较佳实施例结构方块图;第3图:为本创作一较佳实施例电路图;第4图:为本创作另一较佳实施例之电位检测装置3a方块图;及第5图:为本创作另一较佳实施例电路图。 |
