包含锚状插塞之积体电路电容器

摘要

一种积体电路电容器，包含一基底、一临接于基底并具有一第一沟道于其中之第一电介质层、及一延伸朝上进入第一沟道之第一金属插塞。一互连线压在第一沟道上且接触第一金属插塞以界定锚定凹部(anchoringrecesses)于第一金属插塞之相反侧上。一第二电介质层系位于互连线上且具有一第二沟道于其中。一第二金属插塞延伸朝上进入第二沟道。更明确地，第二金属插塞包含一延伸朝上进入第二沟道之主体部分、及锚状部分，其连接至主体部分且啮合锚定凹部以锚定第二金属插塞至互连线。因为第二金属插塞被锚定，所以第二沟道之深度可以是较大的，而不会令第二金属插塞变得松动及分离自底下的互连线。

主权项

1.一种积体电路电容器,包括:一基底;一邻接于该基底且具有一第一沟道于其中之第一电介质层;一延伸朝上进入第一沟道之第一金属插塞;一互连线,其压在第一沟道上且接触该第一金属插塞以界定锚定凹部(anchoring recesses)于该第一金属插塞之相反侧上;一第二电介质层,其位于该互连线上且具有一第二沟道于其中;一第二金属插塞,包含一延伸朝上进入第二沟道之主体部分,及锚状部分,其连接至该主体部分且啮合锚定凹部以锚定该第二金属插塞;一第三电介质层,其邻接该第二金属插塞之一上部分;及一位于该第三电介质层上之一上电极。2.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,进一步包括一电极介于该第二金属插塞与该第三电介质层之间。3.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分及该锚状部分被整个地形成为一整体单元。4.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中第二沟道具有一深度大于约该第二电介质层之厚度的一半。5.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中第二沟道之深度大于约2,000埃。6.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该锚状部分具有一深度相应于第一沟道之深度。7.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分具有一最上表面,其大致上共面与该第二电介质层之一临接的最上表面。8.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中该第一金属插塞具有一最上表面,其大致上共面与该第一电介质层之一临接的最上表面。9.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中每个该第一及第二金属插塞包括钨。10.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分朝上延伸于第二沟道之一中间部分中。11.如申请专利范围第1项之积体电路电容器,其中该第一金属插塞朝上延伸于第一沟道之一中间部分中。12.一种积体电路电容器,包括:一基底;一邻接于该基底且具有一第一沟道于其中之第一电介质层;一延伸朝上进入第一沟道之第一金属插塞;一互连线,其压在第一沟道上且接触该第一金属插塞以界定锚定凹部于该第一金属插塞之相反侧上;一第二电介质层,其位于该互连线上且具有一第二沟道于其中,第二沟道具有一深度大于约该第二电介质层之厚度的一半;一第二金属插塞,包含一延伸朝上进入第二沟道之主体部分,及锚状部分,其连接至该主体部分且啮合锚定凹部以锚定该第二金属插塞;一第三电介质层,其邻接该第二金属插塞之一上部分;及一位于该第三电介质层上之一上电极。13.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,进一步包括一电极介于该第二金属插塞与该第三电介质层之间。14.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分及该锚状部分被整个地形成为一整体单元。15.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,其中第二沟道之深度大于约2,000埃。16.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该锚状部分具有一深度相应于第一沟道之深度。17.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分具有一最上表面,其大致上共面与该第二电介质层之一临接的最上表面。18.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,其中该第一金属插塞具有一最上表面,其大致上共面与该第一电介质层之一临接的最上表面。19.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,其中每个该第一及第二金属插塞包括钨。20.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分朝上延伸于第二沟道之一中间部分中。21.如申请专利范围第12项之积体电路电容器,其中该第一金属插塞朝上延伸于第一沟道之一中间部分中。22.一种积体电路电容器,包括:一基底;一邻接于该基底且具有一第一沟道于其中之第一电介质层;一延伸朝上进入第一沟道之第一金属插塞,其具有锚定凹部于该第一金属插塞之相反侧上;一第二电介质层,其位于该第一电介质层之上且具有一第二沟道于其中;一第二金属插塞,包含一延伸朝上进入第二沟道之主体部分,及锚状部分,其连接至该主体部分且啮合锚定凹部以锚定该第二金属插塞;一第三电介质层,其邻接该第二金属插塞之一上部分;及一位于该第三电介质层上之一上电极。23.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,进一步包括一电极介于该第二金属插塞与该第三电介质层之间。24.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,进一步包括一互连线,其压在第一沟道上且接触该第一金属插塞。25.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分及该锚状部分被整个地形成为一整体单元。26.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中第二沟道具有一深度大于约该第二电介质层之厚度的一半。27.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中第二沟道之深度大于约2,000埃。28.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该锚状部分具有一深度相应于第一沟道之深度。29.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分具有一最上表面,其大致上共面与该第二电介质层之一临接的最上表面。30.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中该第一金属插塞具有一最上表面,其大致上共面与该第一电介质层之一临接的最上表面。31.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中每个该第一及第二金属插塞包括钨。32.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中该第二金属插塞之该主体部分朝上延伸于第二沟道之一中间部分中。33.如申请专利范围第22项之积体电路电容器,其中该第一金属插塞朝上延伸于第一沟道之一中间部分中。图式简单说明:图1是依据本发明之包含一锚状金属插塞之一积体电路电容器的横断面图。图2-7是横断面图以显示依据本发明以制造一包含一锚状金属插塞之积体电路电容器的程序步骤。