| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其系具有多层配线,在半导体基板上形成配线,并形成由氧化矽膜构成的绝缘膜以覆盖住该配线与该基板,将含有SOG原料的涂滚涂敷于该绝缘膜的全表面,形成SOG膜以构成平坦化层者,其特征为:在SOG膜形成之前,对绝缘膜施以湿式蚀刻,以提升上述涂液之相对于绝缘膜的湿润性。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中在上述湿式蚀刻之后,在氧化状态下以100℃-500℃予以加热。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中在上述湿式蚀刻时,使用氟化氢溶液。4.一种半导体装置之制造方法,其系具有多层配线,在半导体基板上形成配线,并形成由氧化矽膜构成的绝缘膜以覆盖住该配线与该基板,然后,将含有SOG原料的涂液涂敷于该绝缘膜的全表面,形成SOG膜以构成平坦化层者,其特征为:在SOG膜形成之前,将亲水性溶媒接触于绝缘膜,以提升上述涂液之相对于绝缘膜的湿润性。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中上述溶媒,系可由甲醇、乙醇、n-丙醇及异丙醇中选择至少一种醇所构成。6.一种半导体制造装置,其系用于具有多层配线之半导体装置之制造方法中者,其在半导体基板上形成配线,并形成由氧化矽膜构成的绝缘膜以覆盖住该配线与该基板,将含有SOG原料的涂液涂敷于该绝缘膜的全表面,形成SOG膜以构成平坦化层者,其特征为:该制造装置,包含有:前段处理部,用以处理形成于具配线之半导体基板上的绝缘膜表面;SOG涂敷部,将含有SOG原料的涂液涂敷于表面经过处理的绝缘膜的全表面用以形成SOG涂膜;烧成该涂膜的SOG处理部;及将半导体基板从前段处理部搬送至涂敷部乃至SOG处理部的搬送部,前段处理部至少含有湿式蚀刻部与溶媒处理部之任一者。7.如申请专利范围第6项之半导体制造装置,其中上述湿式蚀刻部,系包括:具有对绝缘膜施以蚀刻之蚀刻液的蚀刻槽;邻接该蚀刻槽并从具有绝缘膜的半导体基板中除去蚀刻液的洗净槽;及邻接该洗净槽并将具有绝缘膜的半导体基板予以乾燥的乾燥槽。8.如申请专利范围第6项之半导体制造装置,其中上述溶媒处理部,包括有:用以载置具有上述绝缘膜之半导体基板之具旋转台的旋转涂敷部;及将溶媒供应给上述绝缘膜表面的溶媒供应部。9.如申请专利范围第6项之半导体制造装置,其中上述前段处理部,包括至少为带氧电浆发生部与紫外线照射部的任一者。10.如申请专利范围第6项之半导体制造装置,其中上述搬送部,系包括有:搬送轨道;可沿该搬送轨道前后移动自如地安装的搬送装置,及可升降自如地安装于该搬送装置上用以握持半导体基板的挟持部。11.如申请专利范围第10项之半导体制造装置,其中上述挟持部,包括有:可升降自如地连接于搬送装置的悬挂臂;可转动控制地握持半导体基板之外周缘的挟持构件;设于该挟持构件端部的握持用垫片;及连接该悬挂臂与挟持构件的连接构件。图式简单说明:图1为显示在本发明之实施形态1的半导体装置的制造方法所使用的湿式蚀刻部的构造的模式侧视图。图2为显示在本发明之实施形态2的半导体装置的制造方法所使用的溶媒处理部的构造的模式侧视图。图3为显示在本发明之实施形态1的半导体装置的制造方法的制造步骤的流程图。图4为显示具有多层配线的半导体装置的构造的模式剖视图。 |
